Samsung Presentación del nuevo chip de memoria integrado Flash universal 2.1 (eUFS 2.1) permitirá a los teléfonos inteligentes Hasta 1 TB de almacenamiento interno¿De qué otra manera es posible para este chip? Galaxy S10 Plus Se utiliza el límite superior del rango 12 GB de RAM Y 1 TB de almacenamiento.

Estos chips de memoria Samsung eUFS 2.1 Su rendimiento es más impresionante que su capacidad y su chip de 1TB ofrece velocidades de lectura y escritura sostenidas. 1.000/260 MB / s Lectura y escritura aleatoria 4K 58.000 / 50.000 IOPS… Esta velocidad supera la versión récord publicada desde hace mucho tiempo de 512 GB. 860/255 MB / s con 42.000/40.000 IOPS

Información de almacenamiento Samsung eUFS 2.1 Las variantes de 512 GB y 1 GB tienen un tamaño de 11,5 x 13 mm y utilizan chips de memoria. Memoria flash V-NAND La compañía comenzará la producción en masa en sus instalaciones de Pyeongtaek, Corea del Sur, este trimestre, pero el primer lote se centrará en los terminales propios de la compañía, el Galaxy S10, que se lanzará a fines del próximo año en febrero.

Almacenamiento Velocidad de lectura Velocidad de escritura leer
Arbitrariamente
Escribir
Arbitrariamente
Samsung
1 TB eUFS 2.1
(Enero de 2019)
1000 MB / s 260 MB / s 58.000 IOPS 50.000 IOPS
Samsung
512 GB eUFS 2.1
(Noviembre de 2017)
860 MB / s 255 MB / s 42.000 IOPS 40.000 IOPS
Samsung
EUFS 2.1 para automóviles
(Septiembre de 2017)
850 MB / s 150 MB / s 45.000 IOPS 32.000 IOPS
Samsung
Tarjeta UFS de 256 GB
(Julio de 2016)
530 MB / s 170 MB / s 40.000 IOPS 35.000 IOPS
Samsung
256 GB eUFS 2.0
(Febrero de 2016)
850 MB / s 260 MB / s 45.000 IOPS 40.000 IOPS
Samsung
128 GB eUFS 2.0
(Alemán 2015)
350 MB / s 150 MB / s 19.000 IOPS 14.000 IOPS
eMMC 5.1 250 MB / s 125 MB / s 11.000 IOPS 13.000 IOPS
eMMC 5.0 250 MB / s 90 MB / s 7.000 IOPS 13.000 IOPS
eMMC 4.5 140 MB / s 50 MB / s 7.000 IOPS 2000 IOPS